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Estudo Mosfet 4232BGM estrutura interna

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Ago 31, 2021
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Olá amigos,

Espero poder contribuir com um estudo aqui no fórum, com a intenção de compartilhar informação e ajudar quem está iniciando na área.

Sabemos que há muitas informações soltas na internet, mas agrupando aqui algumas destas informações e passando com uma ótica simples de entender, vai facilitar a "vida" de muitos colegas que estão iniciando na área e estão atrás de informações que auxiliem na bancada.

Hoje falarei do mosfet 4232BGM, muito usado em placas de alguns modelos de samsung, como mosfets das fontes de 3v e 5v trabalhando em conjunto com o PWM primário, geralmente um TPS 51125

Placa RV.jpg

Acima, podemos ver a foto representativa desse mosfet no circuito. Ele serve como mosfet de "alta" e de "baixa" na fonte chaveada de 3v e 5v por exemplo.

Este projeto foge um pouco da "regra" que vemos em muitas das outras arquiteturas de placas, onde vemos em cada fonte chaveada interna dois mosfets, invés de um.

Estes mosfets nas placas de samsung costumam dar defeito, e as vezes o técnico iniciante acaba se deparando com a dificuldade de entender como ele é e o teste feito.

Mas, vamos tentar explicar da maneira mais fácil possível.

Estudo 4232BGM.png

Note que esse mosfet ele é um mosfet "duplo", canal N, ou seja, em um mesmo ecapsulamento, ele tem dois mosfets canal N, fazendo a função do mosfet de alta e de baixa em um só encapsulamento.

Veja acima como entender isso... Dividi o mosfet com uma linha no meio dele para que possamos entender os terminais dele na hora de testar...

Estudo 4232BGM_2.png

Basta testar ele assimilando assim, ele sendo dois mosfets em um ensapsulamento só, mas dividindo ele dá para saber agora quem é quem em relação aos terminais, e testar ele sem mistério, fora da placa mãe, ok?

Espero ter ajudado com esta colaboração aqui no fórum
 
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